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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT47H128M16RT-187E:C TR 是一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要面向工业级和高性能计算应用。 该型号存储器广泛应用于通信设备、网络基础设施(如路由器和交换机)、服务器、工业控制设备以及嵌入式系统等领域。其高带宽和低延迟特性使其非常适合需要快速数据处理和大容量内存支持的场景,例如数据中心、边缘计算设备和高端工业自动化系统。 此外,该器件支持ECC(错误校验与纠正)功能,有助于提高数据完整性与系统稳定性,适用于对可靠性要求较高的应用场合。其符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),能够在严苛环境下稳定运行,因此也常见于户外通信设备和工业自动化控制系统中。 总之,MT47H128M16RT-187E:C TR 是一款面向高性能与高可靠性应用场景的工业级存储器解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 2GBIT FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H128M16RT-187E:C TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 84-FBGA(9x12.5) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2G(128M x 16) |
| 封装/外壳 | 84-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 1.875ns |